INSTRUÇÃO NORMATIVA RFB Nº 2.169, DE 29 DE DEZEMBRO DE 2023 (parte 132 de 150)

b) As lâmpadas de resistência de filamento de carbono e as lâmpadas de intensidade variável de filamentos de ferro numa atmosfera de hidrogênio (posição 85.33).
c) Os interruptores automáticos termoelétricos (starters) para acionamento de lâmpadas ou tubos fluorescentes (posição 85.36).
d) As lâmpadas e tubos, eletrônicos, etc., da posição 85.40.
e) Os diodos emissores de luz (LED) da posição 85.41.
f) Os dispositivos eletroluminescentes, geralmente, na forma de tiras, plaquetas ou painéis, à base de substâncias eletroluminescentes (sulfeto de zinco, por exemplo) colocadas entre duas
camadas de matéria condutora (posição 85.43).
g) Os carvões para lâmpadas de arco e os filamentos de carvão para lâmpadas de incandescência (posição 85.45).
85.40 - Lâmpadas, tubos e válvulas, eletrônicos, de cátodo quente, cátodo frio ou fotocátodo (por exemplo, lâmpadas, tubos e válvulas, de vácuo, de vapor ou de gás, ampolas retificadoras
de vapor de mercúrio, tubos catódicos, tubos e válvulas para câmeras de televisão), exceto os da posição 85.39.
8540.1 - Tubos catódicos para receptores de televisão, incluindo os tubos para monitores de vídeo:
8540.11 -- A cores
8540.12 -- A preto e branco ou outros monocromos
8540.20 - Tubos para câmeras de televisão; tubos conversores ou intensificadores de imagens; outros tubos de fotocátodo
8540.40 - Tubos de visualização de dados gráficos, em monocromos; tubos de visualização de dados gráficos, a cores, com uma tela (ecrã*) fosfórica de espaçamento entre os pontos
inferior a 0,4 mm
8540.60 - Outros tubos catódicos
8540.7 - Tubos para micro-ondas (por exemplo, magnétrons, clístrons, guias (tubos) de ondas progressivas, carcinotrons), excluindo os tubos comandados por grade (grelha):
8540.71 -- Magnétrons
8540.79 -- Outros
8540.8 - Outras lâmpadas, tubos e válvulas:
8540.81 -- Tubos de recepção ou de amplificação
8540.89 -- Outros
8540.9 - Partes:
8540.91 -- De tubos catódicos
8540.99 -- Outras
Esta posição compreende exclusivamente as lâmpadas, tubos e válvulas que utilizem, para fins variados, emissão de elétrons a partir de um cátodo existente no vácuo ou em atmosfera
gasosa.
Estas lâmpadas, tubos e válvulas dividem-se em três categorias: os de cátodo quente, em que o cátodo deve ser aquecido para provocar a emissão de elétrons; os de cátodo frio; os de
fotocátodo, em que o cátodo é excitado pela luz. Conforme o número de eletrodos que apresentem, denominam-se diodos, triodos, tetrodos, etc. Algumas vezes, reúnem-se, num mesmo
invólucro, dois ou mais sistemas que se destinam a funções diferentes (lâmpadas múltiplas). O invólucro é de vidro, de cerâmica ou de metal (estas diferentes matérias podem ser utilizadas
conjuntamente) e pode possuir dispositivos de arrefecimento (radiadores de aletas, circulação de água, etc.).
Existem numerosas variedades de lâmpadas, tubos ou válvulas eletrônicos, dos quais alguns são concebidos para fins particulares, tais como os tubos para micro-ondas (por exemplo,
magnétrons, clístrons, guias de ondas progressivas, “carcinotrons”), lâmpadas denominadas de discos selados (válvulas-farol), lâmpadas e tubos estabilizadores, tiratrons, ignitrons.
Nesta posição, distinguem-se:
1) As lâmpadas, tubos e válvulas para retificação da corrente elétrica. Estes artigos são concebidos para a retificação da corrente alternada em corrente contínua. Podem ser quer de vácuo,
quer de gás ou vapor (de mercúrio, por exemplo) e possuem geralmente dois eletrodos. Alguns retificadores apresentam também grades de comando (tiratrons, por exemplo) que
permitem controlar o seu funcionamento ou mesmo invertê-lo (permitem assim transformar uma corrente contínua em corrente alternada).
2) Os tubos catódicos.
a) Os tubos para câmeras de televisão (por exemplo, orticons, vidicons). Estes tubos de feixe eletrônico são utilizados para converter uma imagem óptica num sinal elétrico
correspondente, geralmente por um processo de varredura.
b) Os tubos conversores de imagens, que são tubos de vácuo nos quais a projeção de uma imagem (geralmente em infravermelho) sobre uma superfície fotoemissora produz uma imagem
correspondente visível sobre uma superfície luminescente.
c) Os tubos intensificadores de imagem, que são tubos eletrônicos em que a projeção de uma imagem sobre uma superfície fotoemissora produz uma imagem correspondente mais
luminosa sobre uma superfície luminescente.
d) Os outros tubos catódicos que transformam sinais elétricos em imagens de forma direta ou indireta (tubos de memória, por exemplo). Nos tubos para receptores de televisão ou para
monitores de vídeo, os elétrons provenientes do ou dos cátodos são projetados, depois de terem sido concentrados, defletidos, etc., em forma de feixe sobre a parede interna
(geralmente na extremidade do tubo) guarnecida de substâncias fluorescentes onde fazem aparecer a imagem televisada.
Os tubos catódicos utilizam-se também em radar, em osciloscópios e em alguns aparelhos terminais de sistemas de processamentos de dados (tubos de visualização).
3) Os tubos fotoemissores, de vácuo ou de gás (denominados também células fotoemissoras), que se compõem de uma ampola de vidro ou de quartzo que contenha dois eletrodos, um dos
quais, o cátodo, possui uma camada de substância fotossensível (geralmente, metais alcalinos); sob a ação da luz, esta camada emite elétrons que tornam condutor o espaço que separa
os eletrodos, e que são recolhidos pelo ânodo.
Os fotomultiplicadores são tubos fotossensíveis de vácuo que compreendem um cátodo fotoemissor e um multiplicador de elétrons.
4) As outras lâmpadas, tubos e válvulas. Estes dispositivos são, em geral, de vácuo e alguns deles possuem vários eletrodos. Utilizam-se para a produção de oscilações de alta frequência,
para amplificação de corrente, para detecção, para transformação de imagens (sem intervenção de um fotocátodo), etc.
PARTES
Ressalvadas as disposições gerais relativas à classificação das partes (ver as Considerações Gerais da Seção), são classificadas também aqui as partes das lâmpadas, tubos e válvulas, etc., da
presente posição, tais como os eletrodos (cátodos, grades, ânodos), os invólucros (exceto os de vidro) para tubos, as cintas anti-implosivas para tubos catódicos, as bobinas de deflexão que
se fixam em volta do pescoço desses tubos para efetuar a varredura da imagem.
*
* *
Excluem-se desta posição:
a) Os painéis (telas (ecrãs*)) e os cones de vidro, dos invólucros para tubos catódicos (posição 70.11).
b) Os retificadores de vapor de mercúrio de cuba metálica (posição 85.04).
c) Os tubos de raios X (posição 90.22).
85.41 - Dispositivos semicondutores (por exemplo, diodos, transistores, transdutores à base de semicondutores); dispositivos fotossensíveis semicondutores, incluindo as células
fotovoltaicas, mesmo montadas em módulos ou em painéis; diodos emissores de luz (LED), mesmo montados com outros diodos emissores de luz (LED); cristais piezelétricos
montados (+).
8541.10 - Diodos, exceto fotodiodos e diodos emissores de luz (LED)
8541.2 - Transistores, exceto os fototransistores:
8541.21 -- Com capacidade de dissipação inferior a 1 W
8541.29 -- Outros
8541.30 - Tiristores, diacs e triacs, exceto os dispositivos fotossensíveis
8541.4 - Dispositivos fotossensíveis semicondutores, incluindo as células fotovoltaicas, mesmo montadas em módulos ou em painéis; diodos emissores de luz (LED):
8541.41 -- Diodos emissores de luz (LED)
8541.42 -- Células fotovoltaicas não montadas em módulos nem em painéis
8541.43 -- Células fotovoltaicas montadas em módulos ou em painéis
8541.49 -- Outros
8541.5 - Outros dispositivos semicondutores:
8541.51 -- Transdutores à base de semicondutores
8541.59 -- Outros
8541.60 - Cristais piezelétricos montados
8541.90 - Partes
A.- DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES (POR EXEMPLO, DIODOS, TRANSISTORES, TRANSDUTORES À BASE DE SEMICONDUTORES)
Os artigos deste grupo estão definidos na Nota 12 a) 1º) do presente Capítulo.
Trata-se de dispositivos cujo funcionamento se baseia nas propriedades eletrônicas de certas matérias denominadas “semicondutores” ou, para fins de transdutores à base de semicondutores,
em suas propriedades semicondutoras, físicas (por exemplo, mecânicas, térmicas), elétricas, ópticas e químicas.
Essas matérias caracterizam-se principalmente pela sua resistividade que, à temperatura ambiente, está compreendida entre a dos condutores (metais) e a dos isolantes. Essas matérias
consistem quer em alguns minérios (galena cristalina, por exemplo), quer em elementos químicos de valência 4 (germânio, silício, etc.), quer ainda numa combinação de elementos químicos
(por exemplo, de valência 3 e de valência 5: arsenieto de gálio, antimonieto de índio, etc.).
As matérias que consistem num elemento químico de valência 4 (tetravalente) são geralmente monocristalinas. Não se utilizam no estado puro, mas somente após terem sido ligeiramente
“dopadas”, numa proporção expressa em partes por milhão, por meio de uma “impureza” determinada (dopante).
Para um elemento de valência 4 (tetravalente), a “impureza” pode consistir, quer num elemento de valência 5 (pentavalente) (fósforo, arsênio, antimônio, etc.), quer num elemento de
valência 3 (trivalente) (boro, alumínio, gálio, índio, etc.). No primeiro caso, obtém-se um semicondutor do tipo N, caracterizado por um excesso de elétrons (de carga negativa); no segundo
caso, um semicondutor do tipo P, que se caracteriza pela ausência de elétrons, isto é, em que predominam “buracos” ou “lacunas” (de carga positiva).
As matérias semicondutoras que resultam da associação de elementos químicos de valência 3 (trivalentes) e de elementos de valência 5 (pentavalentes) encontram-se também dopadas.
Quanto às matérias semicondutoras que constituam minérios, as impurezas contidas naturalmente no minério atuam como dopantes.
Os dispositivos de semicondutores do presente grupo possuem geralmente uma ou mais “junções” entre matérias semicondutoras do tipo P e do tipo N.
Entre estes dispositivos, podem citar-se:
I. Os diodos. São dispositivos com dois terminais, que possuem apenas uma junção PN e que permitem a passagem da corrente num sentido (sentido direto) e oferecem, pelo contrário, uma
grande resistência à passagem da corrente no outro sentido (sentido bloqueado). São utilizados para detecção, retificação, comutação, etc.
Os principais tipos de diodos são: diodos de sinal, diodos retificadores de potência, diodos reguladores de tensão, diodos de tensão de referência.
II. Os transistores. São dispositivos de três ou quatro terminais suscetíveis de fornecer uma amplificação, uma oscilação, uma transformação de frequência ou uma comutação de correntes
elétricas. O funcionamento do dispositivo baseia-se na variação da resistividade entre dois dos terminais quando um campo elétrico é aplicado ao terceiro desses terminais. O sinal de
comando ou o campo que é aplicado é mais fraco que o sinal de saída provocado pela modificação da resistência, o que se traduz por uma amplificação do sinal.
Pertencem especialmente a categoria de transistores:
1) Os transistores bipolares que são dispositivos de três terminais que possuem duas junções do tipo diodo e cuja ação depende simultaneamente dos portadores de carga positivos e
negativos (de onde a denominação bipolar).
2) Os transistores de efeito de campo (conhecidos também como semicondutores de óxido metálico (MOS)), que podem possuir ou não junções e cujo funcionamento depende do
empobrecimento (ou do enriquecimento) induzido nos portadores de carga que se encontram entre dois dos terminais. O funcionamento dos transistores de efeito de campo
depende apenas de um só tipo de portador de carga (de onde a denominação unipolar). Um diodo parasita interno, incorporado num transistor do tipo MOS (também denominado
MOSFET), pode funcionar como um diodo de roda livre durante a comutação de cargas indutivas. Os MOSFET podem ter quatro terminais e designam-se pelo nome de tetrodos.
3) Os transistores bipolares de porta isolada (IGBT), que são dispositivos de três terminais constituídos por um terminal da porta e dois terminais de carga (um emissor e um coletor). Ao
aplicar tensões apropriadas entre os terminais da porta e do emissor, a corrente que circula num sentido pode ser controlada, ou seja, ser ligada ou desligada. Os chips IGBT podem
ser combinados com diodos para constituir um bloco único (denominado bloco IGBT) (packaged IGBT devices) que protegem o IGBT e permite que continue a funcionar como um
transistor.
III. Os transdutores à base de semicondutores
Conforme especificado na Nota 12 a) 1º) do presente Capítulo, entende-se por “transdutores à base de semicondutores” os dispositivos em que o substrato ou material semicondutor
desempenha um papel crítico e insubstituível no desempenho da sua função de conversão de qualquer tipo de fenômeno físico ou químico ou uma ação em sinal elétrico ou conversão
de um sinal elétrico em qualquer tipo de fenômeno físico ou uma ação.
Os transdutores à base de semicondutores apresentam as características de uma unidade técnica independente e podem ser apresentados sob a forma de produtos de chip simples ou
numa embalagem. Os componentes que constituem um transdutor à base de semicondutor, incluindo os componentes discretos ativos ou passivos combinados de maneira indissociável
necessários à sua construção ou ao seu funcionamento, devem estar combinados de maneira praticamente indissociável, isto é, se a remoção ou substituição de certos elementos for
teoricamente possível, isso não seria economicamente viável em condições normais de fabricação. Os componentes não à base de semicondutores que não desempenham um papel
fundamental nos transdutores podem fazer parte do transdutor em situações em que contribuem para a função do transdutor como um sensor, atuador, ressonador ou oscilador.
Exemplos típicos de tais componentes são, entre outros, os seguintes:
1) Um invólucro, que geralmente inclui fios metálicos para interconexão (conexões de fios internos ou externos), elementos de conexão, encapsulamento, substratos, etc.; ou
2) Componentes que permitem ou contribuem para o funcionamento, como ímãs, elementos ópticos, etc.
A definição da expressão “à base de semicondutores” também inclui os elementos nos quais o material semicondutor permite que o transdutor exerça a sua funcionalidade através das
suas propriedades, que não são apenas as específicas do semicondutor. Essas propriedades podem incluir resistência mecânica, flexibilidade, condutividade térmica, refletividade óptica,
resistividade química, etc., em combinação com a adaptação à fabricação em microescala de alta precisão com recurso à tecnologia de semicondutores (microusinagem
(microfabricação*)). Estes elementos podem ser, por exemplo, membranas, barras, vigas, cavidades, espelhos, canais, etc., que permitem aos transdutores desempenhar as suas funções
graças às propriedades de espessura ou flexibilidade elástica).
Os materiais utilizados em transdutores à base de semicondutores incluem silício (Si), germânio (Ge), carbono (C), siliciogermânio (SiGe), carboneto de silício (SiC), nitreto de gálio (GaN),
arsenieto de gálio (GaAs), arsenieto de gálio-índio ( InGaAs), fosfeto de gálio (GaP), fosfeto de índio (InP), telureto de estanho (SnTe), óxido de zinco (ZnO) e óxido de gálio (Ga2O3).
A expressão “fabricação com recurso à tecnologia de semicondutores” designa a aplicação de um processo de transformação em escala de wafer, que pode incluir polimento, dopagem,
revestimento por centrifugação, imagem, deposição química em fase de vapor, deposição física em fase de vapor, galvanização, revelação, decapagem, gravação, cozimento, impressão.
Exemplos de transdutores à base de semicondutores:
1) Sensores à base de semicondutores, que estão definidos na Nota 12 a) 1º) 3) deste Capítulo.
Um exemplo de sensor é um elemento de sistemas microeletromecânicos (MEMS) utilizado num microfone de silício como um sensor acústico à base de semicondutor. O elemento
MEMS consiste numa placa traseira rígida perfurada e de uma membrana flexível sobre um substrato de silício, e a sua função consiste em converter as ondas sonoras em energia
elétrica variável. As ondas sonoras são quantidades físicas que atingem a membrana e a conduzem a produzir vibrações, através das quais uma energia elétrica variável é produzida.
Outro tipo de sensor é um sensor de gás, que usa a adsorção de doadores / receptores de elétrons para alterar a resistência do grafeno com uma área de superfície extremamente
alta.
2) Atuadores à base de semicondutores, que estão definidos na Nota 12 a) 1º) 4) deste Capítulo, por exemplo, espelhos de sistemas microeletromecânicos (MEMS) com atuador
eletrotérmico, que são geralmente utilizados para desviar um feixe de laser numa ampla gama de aplicações, tais como comutação óptica de fibra para fibra, projetores de laser,
sistemas de varredura a laser (LIDAR) em condução autônoma, rastreio a laser e medição de posição, etc. Os espelhos acionados termicamente são movidos por elementos de
aquecimento que atuam sobre estruturas à base de semicondutores com diferente expansão térmica.
3) Ressonadores à base de semicondutores, que estão definidos na Nota 12 a) 1º) 5) deste Capítulo, por exemplo, ressonadores de ondas acústicas de camadas finas (FBAR), tais como
os utilizados na tecnologia RF para multiplexação ou seleção de canal em dispositivos sem fio.
4) Osciladores à base de semicondutores, que estão definidos na Nota 12 a) 1º) 6) deste Capítulo, que convertem fenômenos físicos (energia dos campos eletromagnéticos armazenados
num ressonador) num sinal elétrico (tensão de saída com frequência dependente da tensão de sintonia).
IV. Os outros dispositivos à base de semicondutores
Incluem-se nesta categoria:
1) Os tiristores, que são dispositivos constituídos por quatro zonas de condutividade (três ou mais junções PN) de matérias semicondutoras, através das quais passa uma corrente numa
direção determinada quando os impulsos de comando provocam a condução. Os tiristores funcionam como dois transistores complementares montados em oposição. São utilizados
quer como retificadores controlados, quer como interruptores, quer ainda como amplificadores.
2) Os triacs, que são tiristores triodos bidirecionais constituídos por cinco zonas de condutividade (quatro junções PN), de matérias semicondutoras através das quais passa uma corrente
alternada quando os impulsos de comando provocam a condução.
3) Os diacs, que são dispositivos constituídos por três zonas de condutividade (duas junções PN), de matérias semicondutoras e que são utilizados para fornecer aos triacs os impulsos
positivos ou negativos necessários ao seu funcionamento.
4) Os varactores ou diodos de capacitância variável.
5) Os dispositivos de efeito de campo, tais como os gridistores.
6) Os dispositivos de efeito Gunn.
Nãose incluem, no entanto, no presentegrupo, osdispositivosà basede semicondutores, que diferem dosindicadosacima, porfuncionarem principalmente soba influência da temperatura,
da pressão, etc. Tal é o caso, em particular, das resistências não lineares semicondutoras (termistâncias, varistâncias, magnetorresistências, etc.) (posição 85.33).
Quanto aos dispositivos fotossensíveis que funcionam sob a ação de raios luminosos (fotodiodos, etc.), ver o grupo B.
Os dispositivos acima descritos são classificados nesta posição quer se apresentem montados, isto é, providos das suas conexões ou capsulados (por exemplo, pinos, terminais de ligação,
bolas, lands, relevos ou superfícies de contato montados numa base, por exemplo, um substrato ou elementos de conexão), quer se apresentem não montados (elementos), quer ainda em
forma de discos (wafers) ainda não cortados. Todavia, as matérias semicondutoras naturais (galena, por exemplo) só se classificam aqui se se apresentarem montadas.
Os transdutores à base de semicondutores deste grupo, no entanto, não compreendem os sensores, atuadores, osciladores, ressonadores à base de silício, ou as suas combinações, que
contenham um ou mais circuitos integrados monolíticos, híbridos, de multichips ou de multicomponentes, tais como definidos na Nota 12 b) 4º) deste Capítulo (posição 85.42).
Excluem-se também desta posição:
a) Os elementos químicos, tais como o silício e o selênio, dopados, para utilização em eletrônica, desde que se apresentem nas formas brutas de fabricação, em cilindros ou em barras (Capítulo
28). Quando cortados em forma de discos, wafers ou formas análogas (posição 38.18).
b) Os compostos químicos tais como selenieto e sulfeto de cádmio, arsenieto de índio, etc., contendo certos aditivos (por exemplo, germânio, iodo) geralmente em pequena proporção de
alguns por cento, para utilização em eletrônica, quer se apresentem sob a forma de cilindros, barras, etc., quer cortados em discos, wafers ou formas análogas (posição 38.18).
c) Os cristais dopados, próprios para utilização em eletrônica, em forma de discos, wafers ou formas análogas, polidos ou não, mesmo revestidos com uma camada epitaxial uniforme, desde
que não tenham sido seletivamente dopados ou difundidos para criar regiões discretas (posição 38.18).
d) Os circuitos integrados eletrônicos (posição 85.42).
e) Os microconjuntos modulares moldados, micromódulos moldados ou semelhantes, constituídos por componentes discretos, ativos ou ativos e passivos, que são combinados e interligados
(geralmente Capítulos 84, 85 ou 90).
B.- DISPOSITIVOS FOTOSSENSÍVEIS DE SEMICONDUTORES
Este grupo compreende os dispositivos fotossensíveis de semicondutores nos quais as radiações visíveis, infravermelhas ou ultravioleta, provocam, por efeito fotoelétrico interno, uma
variação da resistividade ou o aparecimento de uma força eletromotriz.
Os tubos fotoemissores (células fotoemissoras), cujo funcionamento se baseia no efeito fotoelétrico externo (fotoemissão), são classificados na posição 85.40.
Os principais tipos de dispositivos fotossensíveis de semicondutores são os seguintes:
1) As células fotocondutoras (fotorresistências), constituídas geralmente por dois eletrodos entre os quais se intercala uma substância semicondutora (sulfeto de cádmio, sulfeto de chumbo,
etc.) que, à passagem da corrente, têm a propriedade de oferecer uma resistência cujo valor varia conforme a intensidade luminosa aplicada à célula.
Estes dispositivos são utilizados para detectar chamas, para medir o tempo de exposição dos aparelhos fotográficos automáticos, para contagem de objetos em movimento, para dosagem
automática, para abertura automática de portas, etc.
2) As células fotovoltaicas ou fotopilhas, que transformam diretamente a luz em energia elétrica, sem precisar de fonte externa de corrente. As células de selênio utilizam-se principalmente
para fabricação de luxímetros (medidores de luz) ou de posímetros (medidores de exposição). As células de silício têm um rendimento mais elevado e são utilizadas especialmente em
órgãos de comando e de regulação, para detecção de impulsos luminosos, em sistemas de comunicação por fibras ópticas, etc.
Distinguem-se especialmente entre as células deste tipo:
1º) As células solares, células fotovoltaicas de silício que transformam diretamente a luz solar em energia elétrica. São utilizadas geralmente em grupos para fornecer energia elétrica aos
foguetes ou aos satélites de pesquisas espaciais, aos transmissores (emissores) de socorro nas montanhas, etc.
Classificam-se aqui as células solares, mesmo montadas em módulos ou em painéis. Excluem-se, todavia, da presente posição os painéis ou os módulos equipados com dispositivos,
mesmo muito simples (diodos para orientar a corrente, por exemplo) que permitem fornecer uma energia diretamente utilizável por um motor, por um aparelho para eletrólise, por
exemplo (posição 85.01).
2º) Os fotodiodos (de germânio, de silício, especialmente) que se caracterizam por uma variação de resistividade quando raios luminosos incidem sobre a junção PN. São utilizados em
processamento de dados (leitura de memórias), como fotocátodo em alguns tubos eletrônicos, nos pirômetros de radiação, etc. Os fototransistores e os fototiristores pertencem a
este tipo de receptores fotoelétricos.
Quando se encontram encapsulados, estes dispositivos distinguem-se dos diodos, transistores e tiristores da parte A, acima, porque seu invólucro é parcialmente transparente para
permitir a passagem de luz.
3º) Os fotobinários e os fotorrelés, constituídos pela associação de diodos eletroluminescentes e de fotodiodos, de fototransistores e de fototiristores.
Os dispositivos fotossensíveis de semicondutores são classificados na presente posição quer se apresentem montados (isto é, providos das suas conexões), quer encapsulados, quer
desmontados.
C.- DIODOS EMISSORES DE LUZ (LED)
Os diodos emissores de luz (LED) ou diodos eletroluminescentes (entre outros, de arsenieto de gálio, fosfeto de gálio ou nitreto de gálio) são dispositivos que transformam a energia elétrica
em radiações visíveis, infravermelha ou ultravioleta. Esses diodos são utilizados, por exemplo, para apresentação ou transmissão de dados em sistemas de processamento de dados ou para
sistemas de iluminação e aplicações luminosas.
Os diodos laser emitem uma luz coerente. Utilizam-se para detecção de partículas nucleares, em altimetria ou telemetria, nos sistemas de comunicação por fibras ópticas, etc.
Classificam-se também neste grupo:
1) Blocos de diodos emissores de luz (LED)
Estes são componentes elétricos individuais que incorporam principalmente um ou mais chips (matrizes) de diodos emissores de luz (LED), e incluindo eventualmente elementos ópticos
e interfaces térmicas, mecânicas e elétricas (por exemplo, conectores elétricos, incluindo cabos para conexão ao circuito de controle externo).
Os diodos de proteção (por exemplo, diodos Zener) podem ser conectados de maneira antiparalela aos chips de diodos emissores de luz de nitreto de gálio (GaN LED) para proteger os
chips GaN LED contra as descargas eletrostáticas de certos blocos de GaN LED.
Existem dois tipos principais de blocos de LED brancos. O primeiro tipo consiste numa combinação de um ou mais chips de LED e de uma substância fluorescente (fósforo).
O segundo tipo de blocos de LED brancos consiste numa combinação de um ou mais chips de LED vermelhos, chips de LED verdes e chips de LED azuis. Os blocos de LED brancos são
utilizados em aplicações de iluminação geral e de retroiluminação.
2) Montagens de diodos emissores de luz (LED)
Estas são montagens que compreendem blocos de diodos emissores de luz (LED) montados numa placa de circuito impresso, incluindo eventualmente elementos ópticos e interfaces
térmicas, mecânicas e elétricas (por exemplo, conectores elétricos, incluindo cabos para conexão ao circuito de controle externo).
As montagens de LED não possuem os circuitos necessários para retificar a fonte de alimentação em corrente alternada e controlar a corrente contínua a um nível utilizável pelos LED.
O número de LED não altera a função dos LED, mas contribui unicamente para a intensidade da luz.
Certas montagens de LED utilizam chips de LED em vez de blocos de LED. Os chips são montados numa placa de circuito impresso e encapsulados juntos ou individualmente, eventualmente
com fósforo.
D.- CRISTAIS PIEZELÉTRICOS MONTADOS
Utilizam-se as propriedades piezelétricas de alguns cristais, especialmente os cristais de titanato de bário (incluindo os elementos policristalinos polarizados de titanato de bário, de
zircotitanato de chumbo ou de outros cristais da posição 38.24 (ver a Nota Explicativa correspondente)), bem como os cristais de quartzo ou de turmalina, em microfones, alto-falantes
(altifalantes), produção e captação de ultrassons, osciladores de grande estabilidade de frequência, etc. Só se classificam na presente posição os cristais deste tipo montados. Estes cristais
apresentam-se geralmente sob a forma de placas, barras, discos, anéis, etc., e devem, pelo menos, ser providos de eletrodos ou de conexões elétricas. Podem ser revestidos de grafita, de
verniz, etc., ou colocados em suportes e frequentemente colocados num invólucro (caixas metálicas, ampolas de vidro ou suportes de outras matérias). Todavia, quando o conjunto (suporte
e cristal), por junção de outros dispositivos, ultrapassou o estado de simples cristal montado e adquiriu a característica de uma parte bem determinada de máquina ou aparelho, este último
conjunto é classificado como peça separada da máquina ou do aparelho: por exemplo, células piezelétricas para microfones ou alto-falantes (altifalantes) da posição 85.18, cabeça de leitor
de som da posição 85.22, sensores de aparelhos detectores e medidores de espessura por meio de ultrassom (geralmente classificado por aplicação da Nota 2b) doCapítulo 90 ou na posição
90.33, conforme o caso), osciladores de quartzo para relógio eletrônico da posição 91.14.
Excluem-se ainda desta posição os cristais piezelétricos não montados (geralmente posições 38.24, 71.03 ou 71.04).
PARTES
Ressalvadas as disposições gerais relativas à classificação das partes (ver as Considerações Gerais da Seção), classificam-se também aqui as partes dos artigos da presente posição.
o
o o
Nota Explicativa de subposição.
Subposição 8541.21
O poder de dissipação de um transistor mede-se quando se lhe aplica a tensão especificada de funcionamento e mede-se a potência que pode suportar a uma temperatura de 25 °C. Por
exemplo, se o transistor pode suportar uma carga permanente de 0,2 ampere a uma tensão especificada de funcionamento de 5 volts e uma temperatura que se mantém em 25 °C, o seu
poder de dissipação é de 1 watt (intensidade x tensão = potência).
Para os transistores providos de meios de dissipação de calor (por exemplo, caixa metálica, presilha), a temperatura de referência de 25 °C é a da base ou da caixa, enquanto que para outros
transistores (com simples invólucros de plástico, por exemplo), é a temperatura ambiente.
85.42 - Circuitos integrados eletrônicos.
8542.3 - Circuitos integrados eletrônicos:
8542.31 -- Processadores e controladores, mesmo combinados com memórias, conversores, circuitos lógicos, amplificadores, circuitos temporizadores e de sincronização, ou outros
circuitos
8542.32 -- Memórias
8542.33 -- Amplificadores
8542.39 -- Outros
8542.90 - Partes
Os artigos da presente posição são definidos na Nota 12 b) do presente Capítulo.
Esta posição compreende um conjunto de dispositivos eletrônicos, com uma densidade elevada de elementos ou componentes passivos e ativos, considerados como constituindo uma unidade
(ver, no que diz respeito aos elementos ou componentes “passivos” ou “ativos”, a Nota Explicativa da posição 85.34, primeiro parágrafo). Pelo contrário, os circuitos eletrônicos compostos
unicamente de elementos passivos são excluídos da presente posição.
Diversamente dos circuitos integrados eletrônicos, os componentes discretos podem ter uma só função elétrica ativa (dispositivos semicondutores definidos na Nota 12 a) do Capítulo 85), ou
uma só função elétrica passiva (resistências, condensadores, indutâncias, etc.). Os componentes discretos são indivisíveis e são os componentes eletrônicos básicos na construção de um
sistema.
Não se consideram, todavia, como componentes discretos os constituídos por vários elementos de um circuito elétrico, e com várias funções elétricas, tais como os circuitos integrados.
Os circuitos integrados eletrônicos compreendem as memórias DRAM (memória de acesso aleatório dinâmica), SRAM (memória de acesso aleatório estática), EPROM (memória programável,
apagável, apenas de leitura), EEPROM ou E2PROM (memória programável, eletricamente apagável, apenas de leitura), microcontroladores, circuitos de comando, circuitos lógicos, circuitos
de redes de portas programadas “gate arrays”, circuitos de interface, etc.
Os circuitos integrados eletrônicos compreendem:
I. Os circuitos integrados monolíticos.
Os circuitos integrados monolíticos são microestruturas nas quais os elementos de circuito (diodos, transistores, resistências, condensadores, indutâncias, etc.) são criados na massa
(essencialmente) e na superfície de um material semicondutor, mesmo composto (silício dopado, por exemplo) e formam então um todo indissociável. Os circuitos integrados monolíticos
podem ser digitais, lineares (analógicos) ou digitais-analógicos.
Os circuitos integrados monolíticos podem apresentar-se:
1º) Montados, isto é, já providos das suas conexões, encapsulados ou não nos seus invólucros de metal, de cerâmica ou de plástico. Estes invólucros podem ter, por exemplo, a forma de
cilindros ou de paralelepípedos;
2º) Não montados, isto é, sob a forma de microplaquetas (chips), frequentemente retangulares, em geral de alguns milímetros de lado;
3º) Sob a forma de discos ou wafers ainda não cortados em microplaquetas (chips).
Podem citar-se como circuitos integrados monolíticos:
1º) Os semicondutores de óxido metálico (tecnologia MOS);
2º) Os circuitos obtidos por tecnologia bipolar;
3º) Os circuitos obtidos pela associação das tecnologias MOS e bipolar (tecnologia BIMOS).
A tecnologia dos semicondutores de óxido metálico (MOS), especialmente a dos semicondutores de óxido de metal complementar (CMOS), e a tecnologia bipolar são as tecnologias
“genéricas” que governam a fabricação de transistores. Como componentes de base de circuitos integrados monolíticos, estes transistores conferem a sua identidade ao circuito
integrado. Os circuitos bipolares são utilizados de preferência nas aplicações nas quais se busca a máxima velocidade lógica. Por outro lado, os circuitos MOS são os preferidos cada vez
que se pretende uma forte densidade ou pequenas necessidades energéticas. Além disso, como os circuitos CMOS são os que têm as menores necessidades energéticas, são os preferidos
nas aplicações para as quais a potência é limitada ou onde se esperam problemas de arrefecimento. Esta relação de complementaridade entre as tecnologias bipolar e MOS vê-se cada
vez mais, atualmente, reforçada com a tecnologia BICMOS, que alia a rapidez da bipolar ao grande potencial de integração e ao baixo consumo energético dos circuitos CMOS.
II. Os circuitos integrados híbridos.
Os circuitos integrados híbridos são microestruturas eletrônicas construídas sobre um substrato isolante no qual um circuito de camada fina ou espessa foi formado. A formação deste
circuito permite obter, simultaneamente, alguns elementos passivos (por exemplo, resistências, condensadores, indutâncias). Contudo, para constituir um circuito integrado híbrido da
presente posição, elementos semicondutores devem ser incorporados, quer sob a forma de microplaquetas (chips), encapsuladas ou não, quer sob a forma de semicondutores
previamente encapsulados, por exemplo, dentro de invólucros miniaturas especialmente concebidos para esse fim. Os circuitos integrados híbridos podem também possuir elementos
passivos obtidos individualmente e colocados no circuito da camada de base, da mesma maneira que os semicondutores. Trata-se geralmente de componentes, tais como condensadores,
resistências ou bobinas, sob a forma de microplaquetas (chips).
Os substratos compostos de várias camadas (geralmente de cerâmica), reunidos por cozedura de maneira a formar um conjunto compacto, devem considerar-se como constituindo um
mesmo substrato na acepção da Nota 12 b) 2º) do presente Capítulo.
Os componentes que formam um circuito integrado híbrido devem estar reunidos de maneira praticamente indissociável, isto é, a retirada ou a substituição de alguns elementos é
possível teoricamente, mas tal só pode ser feito mediante operações minuciosas e delicadas que, em condições normais de produção, não seriam economicamente rentáveis.
III. Circuitos integrados de múltiplas microplaquetas (chips).
Estes circuitos são microestruturas constituídas por dois ou mais circuitos integrados monolíticos interconectados, combinados de maneira praticamente indissociável, dispostos ou não
sobre um ou mais substratos isolantes, comportando ou não elementos de conexão, mas sem outros elementos de circuito ativos ou passivos.
Os circuitos integrados de múltiplas microplaquetas (chips) apresentam-se geralmente nas seguintes configurações:
– dois ou mais circuitos integrados monolíticos montados lado a lado;
– dois ou mais circuitos integrados monolíticos empilhados uns sobre os outros;
– combinações das configurações acima, constituídas por pelo menos três circuitos integrados monolíticos.
Estes circuitos integrados monolíticos são combinados e interconectados num corpo único e podem ser “montados” por encapsulamento ou outra forma. São combinados de maneira
praticamente indissociável, isto é, a remoção ou a substituição de alguns elementos é teoricamente possível, mas tal só pode ser feito mediante operações minuciosas e delicadas que,
em condições normais de produção, não seriam economicamente rentáveis.
Os substratos isolantes dos circuitos integrados de múltiplas microplaquetas (chips) podem incorporar regiões eletricamente condutoras. Estas regiões podem ser compostas de materiais
específicos ou ter formas específicas a fim de assegurar funções passivas por meios distintos da utilização de elementos de circuito discretos. Quando estas regiões eletricamente
condutoras estiverem presentes no substrato, são tipicamente utilizadas como meios de interconexão dos circuitos integrados monolíticos. Estes substratos denominam-se “elementos
de interposição” (interposers) ou “espaçadores” (spacers) quando colocados por cima da microplaqueta (chip) ou do suporte inferior.
Os circuitos integrados monolíticos são interconectados por diversos meios, tais como adesivos, “microcablagem” (wire bonding) ou tecnologia flip chip.
IV. Circuitos integrados de multicomponentes (MCOs).
As combinações de circuitos e elementos mencionados na Nota 12 b) 4º) do presente Capítulo são as seguintes.
Os circuitos integrados de multicomponentes (MCOs) são uma combinação de um ou mais circuitos integrados monolíticos, híbridos ou de multichips com sensores, atuadores,
osciladores, ressonadores, à base de silício, e as suas combinações, ou um ou mais componentes que desempenhem as funções de artigos classificáveis nas posições 85.32, 85.33, 85.41,
ou as bobinas classificadas na posição 85.04.
Inclui-se a possibilidade de MCOs também poderem conter MCOs desde que satisfaçam as condições da Nota 12 b) 4º) do Capítulo 85.
Todas as unidades separadas (comercializáveis), que não se classificam nas posições 85.04, 85.32, 85.33, 85.41, ou que não se enquadram na definição de sensores, atuadores,
ressonadores, osciladores e as suas combinações são excluídos da definição de um circuito integrado de multicomponentes MCO (por exemplo, transformadores (posição 85.04) ou ímãs
(posição 85.05)).
No entanto, outros elementos não mencionados, mas que são intrínseca ou necessariamente parte de um MCO (ou de invólucros de circuitos integrados), tais como substratos, mesmo
funcionando como circuitos impressos, fios de ouro ou regiões condutoras, ou que sejam necessários para fabricação e função de tal circuito, por exemplo, composto de moldação
(encapsulamento) ou elementos de conexão, são aceitas como partes/elementos de um MCO.
Os circuitos integrados e os componentes que formam um MCO são combinados e interligados de maneira física, elétrica ou opticamente em apenas um corpo único (um componente
que existe como uma unidade técnica particular ou independente com uma conexão comum para o mundo exterior através de pinos, terminais de ligação, bolas, lands, relevos, ou
superfícies de contato), dispostos ou não num ou em mais substratos isolantes, mesmo com elementos de conexão, e podem ser “manufaturados” por meio de encapsulamento ou de
outra forma.
Os componentes devem estar combinados de maneira praticamente indissociável, isto é, a remoção ou a substituição de alguns elementos é teoricamente possível, mas isso seria
antieconômico em condições normais de produção.
Os MCOs são muitas vezes destinados à montagem com os seus terminais ou conexões dentro ou sobre um suporte (por exemplo, placas de circuito impresso ou outros suportes, tais
como os circuitos de camada (fina ou espessa), substratos metálicos isolantes, etc.) ou ligados a uma interface elétrica. Os invólucros dos MCOs podem ser feitos de diversos materiais,
têm vários modelos e formas, e podem proteger a unidade de influências mecânicas e ambientais.
Os MCOs podem ter várias características diferentes (por exemplo, o invólucro pode ser sólido, ou ter orifícios, janelas ou membranas) ou fixações que são necessárias para funções
específicas. Os MCOs utilizam estas diferentes características e fixações para receber um sinal de entrada de quantidades físicas ou químicas exteriores e processar estes dados para uma
saída relacionada com os sensores, atuadores, osciladores, ressonadores à base de silício.
Podem ser utilizados numa variedade de aplicações, incluindo computadores, comunicações (telefone para redes celulares, por exemplo), bens de consumo, industriais ou para
automóveis.
Excluem-se da presente posição os circuitos de camada compostos exclusivamente de elementos passivos (posição 85.34).
Esta posição não compreende os dispositivos de armazenamento não volátil de dados, à base de semicondutores, os cartões inteligentes (smart cards) e os outros suportes para a gravação
de som ou de outros fenômenos (ver a posição 85.23 e a Nota 6 do presente Capítulo).
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o o
Exceto as combinações (praticamente indissociáveis) referidas nas partes II) e III) e IV), acima, relativas aos circuitos integrados híbridos, circuitos integrados de multichips e circuitos integrados
de multicomponentes (MCOs), excluem-se também desta posição as montagens obtidas por:
a) Montagem de um ou mais componentes discretos num suporte formado, por exemplo, por um circuito impresso;
b) Adição de um ou mais dispositivos, tais como os diodos, transformadores, resistências, a uma microestrutura eletrônica;
c) Combinação de componentes discretos ou as combinações de microcircuitos eletrônicos, exceto os circuitos integrados do tipo multichip ou multicomponente;
d) As combinações de um ou mais circuitos integrados monolíticos, híbridos, de multichips ou de multicomponentes com componentes não mencionados na Nota 12 b) 4º) do presente
Capítulo (por exemplo, transformadores (posição 85.04) ou ímãs (posição 85.05)).
Tais conjuntos são classificados da seguinte maneira:
1º) Os conjuntos que constituem uma máquina ou um aparelho completo, ou considerado como tal, na posição correspondente à da máquina ou à do aparelho em questão.
2º) Os outros conjuntos, de conformidade com as disposições que regem a classificação das partes de máquinas (Notas 2 b) e 2 c) da Seção XVI, em particular).
É o caso, especialmente, de certos módulos de memória eletrônicos (por exemplo, os módulos SIMM (módulos de memória de fila simples “Single In-line Memory Modules”)) e os módulos
DIMM (módulos de memória de dupla fila “Dual In-line Memory Modules”)). Estes módulos classificam-se por aplicação da Nota 2 da Seção XVI (ver as Considerações Gerais do presente
Capítulo).
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PARTES
Ressalvadas as disposições gerais relativas à classificação das partes (ver as Considerações Gerais da Seção XVI), classificam-se também nesta posição as partes dos artigos da presente posição.
85.43 - Máquinas e aparelhos elétricos com função própria, não especificados nem compreendidos noutras posições do presente Capítulo.
8543.10 - Aceleradores de partículas
8543.20 - Geradores de sinais
8543.30 - Máquinas e aparelhos de galvanoplastia, eletrólise ou eletroforese
8543.40 - Cigarros eletrônicos e dispositivos de vaporização elétricos de uso pessoal semelhantes
8543.70 - Outras máquinas e aparelhos
8543.90 - Partes
A presente posição compreende, desde que não tenham sido excluídos pelas Notas da Seção ou do presente Capítulo, o conjunto das máquinas e aparelhos elétricos não especificados nem
compreendidos noutras posições do Capítulo, nem englobados mais especificamente em quaisquer outras posições de outro Capítulo (especialmente os Capítulos 84 ou 90).
Consideram-se como máquinas ou aparelhos na acepção da presente posição, os dispositivos elétricos que tenham uma função própria. As disposições da Nota Explicativa da posição 84.79
relativas às máquinas e aparelhos que tenham uma função própria, aplicam-se, mutatis mutandis, às máquinas e aos aparelhos da presente posição.
São, na sua maior parte, conjuntos de dispositivos elétricos elementares (lâmpadas, transformadores, condensadores, bobinas de autoindução, resistências, etc.), que asseguram a sua função
exclusivamente por meio puramente elétrico. Classificam-se, todavia, aqui os artigos elétricos que possuem dispositivos mecânicos, desde que estes dispositivos só desempenhem um papel
secundário em relação ao das partes elétricas da máquina ou do aparelho.
Entre os aparelhos que se classificam nesta posição, podem citar-se:
1) Os aceleradores de partículas. São aparelhos que se destinam a comunicar uma energia cinética elevada a partículas carregadas (elétrons, prótons, etc.).
Os aceleradores de partículas são utilizados principalmente em pesquisas nucleares, mas destinam-se também à produção de corpos radioativos, radiografia médica ou industrial,
esterilização de alguns produtos, etc.
Os aceleradores de partículas que, na maioria das vezes, constituem uma instalação de grandes dimensões (alguns pesam vários milhares de toneladas), compreendem uma fonte
de partículas, uma câmara onde se produz a aceleração, dispositivos que se destinam a fornecer alta tensão, tensão de alta frequência, variações de fluxo ou de radiofrequência que
se utilizam para acelerar as partículas. Estes aparelhos podem possuir um ou mais alvos.
A aceleração, a focalização e a deflecção das partículas efetuam-se por meio de dispositivos eletrostáticos ou eletromagnéticos, alimentados por geradores de tensão ou de
frequências elevadas. O acelerador e os geradores são muitas vezes envolvidos por uma tela (ecrã*) de proteção contra radiações.
Entre os aceleradores de partículas, podem citar-se: o acelerador Van de Graaff, o acelerador Cockcroft e Walton, os aceleradores lineares, o cíclotron, o betatron, o sincrocíclotron,
os síncrotrons, etc.
Os betatrons e outros aceleradores de partículas especialmente adaptados para produzir raios X, incluindo os que podem emitir, conforme as necessidades, raios beta e raios gama,
classificam-se na posição 90.22.
2) Os geradores de sinais. São aparelhos para produção de sinais elétricos de forma de onda e amplitude determinadas, de uma frequência pretendida (por exemplo, baixa ou alta
frequência). Entre estes geradores podem citar-se: os geradores de impulsos, os geradores de figuras-padrão (geradores de mira*), geradores de varredura (“wobuladores”*).
3) Os detectores de minas, cujo funcionamento se baseia na variação do campo magnético provocada pela aproximação de objetos metálicos; estas variações são convertidas em
variações elétricas. Aparelhos semelhantes são utilizados para revelar a presença de corpos metálicos estranhos, nas embalagens ou recipientes de tabaco, produtos alimentícios,
madeiras, etc., ou ainda para localizar canalizações subterrâneas.
4) Os aparelhos misturadores (exceto os especialmente concebidos para o cinema, que se classificam na posição 90.10), às vezes equipados com um amplificador, utilizados nas gravações
sonoras para combinar as transmissões (emissões) de dois ou mais microfones. Os aparelhos misturadores (mixers) e equalizadores audiofônicos estão igualmente classificados aqui.
5) Os aparelhos para redução de barulho, utilizados com os aparelhos de gravação sonora.
6) Os degeladores e desembaçadores de resistências elétricas, para veículos aéreos, veículos para vias férreas ou outros veículos (incluindo as embarcações), exceto os aparelhos para
ciclos ou automóveis da posição 85.12.