RESOLUÇÃO GECEX Nº 887, DE 7 DE MAIO DE 2026 (parte 4 de 4)

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. .8443.99.23 .002 . Cartuchos de tinta compatíveis para impressoras a jato de tinta, constituido basicamente de corpo de plástico e deposito contendo tinta. .13/05/2026 .09/09/2026
. .8443.99.23 .003 . Dispositivos reservatórios de tinta para sistemas de impressão do tipo jato de tinta (inkjet), fabricados em resina termoplástica de alta resistência, com capacidade volumétrica de até 1.000ml por compartimento, com sistemas
de autoencaixe, válvulas de controle de pressão, travas de segurança e tampas de vedação hermética.
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. .8443.99.23 .004 . Cartuchos de Tinta pigmentadas diversas cores, resistência à água e ao desbotamento, nas versões sublimação, ecosolvente, UV, direct-to-garment, fotográficas, projetados para impressoras jato de tinta profissionais de médio
e grande formato, e capacidade de disparar até 40 milhões de pontos de tinta por segundo, com capacidade variando de 50 ml a 10.000ml.
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. .8443.99.23 .005 . Cartuchos de tinta pigmentada à base de água resistente a água, manchas e à luz, com durabilidade de impressão de até 400 anos, para impressoras com tecnologia de impressão por jato de tinta, com capacidade entre 30ml
a 1500ml.
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. .8443.99.32 .031 . Cilindros para cartuchos de toner, recoberto de matéria fotoelétrica (opc drum), compatíveis para impressoras a laser. .13/05/2026 .09/09/2026
. .8443.99.32 .032 . Cilindros para impressoras monocromáticas ou policromáticas a laser/led, com capacidade de até 1.000.000 páginas, podendo conter ou não partes plásticas e metálicas. .13/05/2026 .09/09/2026
. .8443.99.33 .032 . Cartuchos de toner compativeis para impressoras a laser, constituido basicamente de corpo plástico, depósito contendo pó de toner (toner cartridge). .13/05/2026 .09/09/2026
. .8443.99.33 .033 . Cartucho de toner para impressão em folhas de papel e fixação de impressões com fusão Laser/Led, com ponto de fusão entre 80 e 130 graus Celsius, com capacidade de tiragem de até 25000 páginas. .13/05/2026 .09/09/2026
. .8445.20.00 .004 . Máquinas de fiação de fibras têxteis, filatorio de anel, destinadas ao processamento de fibras naturais, artificiais e suas misturas com comprimento de fibra de até 40 mm e diâmetro do anel de 38mm, com 1680 fusos, altura
do fuso (escartamento) de 70mm, sendo equipadas com sistemas de controle de velocidade dos fusos, sistema de arriada automática e painéis gráficos coloridos.
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. .8446.30.10 .006 . Teares a jato de ar para tecidos felpudos, dotados de sistema de inserção de trama com seleção de cores, com pré-alimentadores de enrolamentos adjacentes ou separados, sistema de formação de cala com acionamento
motorizado independente por quadro de liços.
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. .8452.21.20 .007 . Máquinas de costura industrial para costurar tecidos com programação via painel acoplado, unidade automática com velocidade de trabalho superior a 3.000 rpm, podendo conter: area de trabalho programável e calcador com
ajuste de altura.
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. .8541.10.21 .005 . Diodos semicondutores encapsulados em tecnologia SMD para montagem em suprficie (SMT), incluindo diodos de retificação rápida e diodos zener de proteção elétrica, com tensão reversa nominal compreendida entre 2 a
200Vdc, corrente nominal até 1A, destinados á aplicação em circuitos eletrônicos de potência e controle utilizados na fabricação de módulos eletrônicos industriais e driver para iluminação LED.
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. .8541.10.22 .008 . Diodos montados, de intensidade de corrente inferior ou igual a 3A, próprios para montagem em superfície (SMD), responsável por permitir a passagem de corrente elétrica em apenas um sentido do circuito elétrico, evitando
que tensões elétricas reversas de até 200V danifiquem o sistema elétrico, utilizado em circuitos eletrônicos.
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. .8541.29.20 .013 . Transistores MOSFET de potência, de polaridade canal N, próprios para montagem em furo passante (through-hole), encapsulados em PG-TO220-3, com tensão de ruptura dreno-fonte V(BR)DSS igual ou superior a 150 V e igual
ou inferior a 250 V, resistência em condução RDS(on) igual ou inferior a 15 mOhms, corrente contínua de dreno (ID) igual ou superior a 50 A, carga total de gate (Qg) igual ou inferior a 110 nC e tensão de limiar VGS(th) igual
ou superior a 2 V e igual ou inferior a 5 V, próprios para aplicação em conversores eletrônicos de potência, fontes chaveadas, retificação síncrona e módulos de alimentação de alta eficiência.
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. .8541.29.20 .014 . Transistores bipolares de potência, de polaridade PNP, de silício, próprios para montagem em superfície (SMD), encapsulados em SOT-223, com tensão de ruptura coletor-emissor (Collector Emitter Voltage - VCEO) igual ou
superior a 120 V e igual ou inferior a 180 V, corrente contínua de coletor (IC) igual ou superior a 3 A, tensão de saturação coletor-emissor VCE(sat) igual ou inferior a 0,4 V, ganho de corrente contínua (hFE) igual ou superior
a 75, próprios para aplicação em circuitos de controle, reguladores lineares e módulos eletrônicos de alimentação.
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. .8541.29.20 .015 . Sistemas de compensação de reativos "STATCOM" (Static Synchronous Compensator) dotados de módulos de válvulas denominadas VSC (Voltage Source Converters) compostos de Transistores IGBT (Insulated-Gate Bipolar
Transistor) com capacidade de dissipação maior que 1W, e capacitores DC, que são controlados por sinal elétrico, montados em estrutura vertical para a fixação suspensa, com ou sem colunas de painéis de controle e/ou
proteção tipo MACH, com ou sem sistema de resfriamento por água deionizada (cooling system) para mitigação de "flicker", compensação de energia reativa tanto capacitiva quanto indutiva, e correção de fator de potência
e controle de tensão nos sistemas elétricos de potência.
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. .8541.41.21 .006 . Diodos emissores de luz (led), montados, próprios para montagem em superfície (smd - surface mounted device) do tipo usado em produto automotivo. .13/05/2026 .09/09/2026
. .8541.41.21 .007 . Diodos emissores de luz (LED), montados em encapsulamento SMD para montagem em superfície (SMT), com tensão de operação compreendida entre 2.8 e 25Vdc, potência nominal entre 100mW e 3W, temperatura de cor
compreendida entre 2200K e 6500K, destinados á fabricação de lâmpadas e módulos eletrônicos de iluminação de estado sólido.
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. .8541.41.21 .008 . Diodos emissores de luz (LED), montados, próprios para montagem em superfície (SMD), encapsulados nos formatos 0603 ou 0805 ou 1206, monocromáticos ou bicolores, com comprimento de onda maior ou igual a 450 nm
e menor ou igual a 660 nm, com intensidade luminosa menor ou igual a 200 mcd, tensão direta menor ou igual a 3,5 V, corrente direta nominal menor ou igual a 25 mA, com ângulo de emissão igual ou superior a 90 graus,
próprios para indicação de estado, sinalização e interface visual em placas de circuito impresso de equipamentos eletrônicos, de telecomunicações ou de redes de dados.
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. .8541.90.90 .003 . Tubos metálicos em liga de Níquel e Ferro para uso exclusivo na produção de Semicondutores de Potência, contendo entre 40% a 53% de Níquel na liga, ajustada para compatibilidade de expansão e contração térmica com
o vidro de isolação do encapsulamento dos semicondutores, garantindo selo hermético sob pressão e variações de temperatura, diâmetro externo compreendido entre 1,5 a 20mm, diâmetro interno compreendido entre 0,8
a 19mm e comprimento compreendido entre 5 a 24 mm.
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. .8541.90.90 .004 . Placas Cerâmicas de Óxido de Alumínio (AI2O3) ou Nitreto de Alumínio (AIN) com trilhas espessas de cobre, denominadas DBC ou DCB , para uso exclusivo na produção de módulos Semicondutores de Potência isolados, com
capacidade de isolação de 3600 V, dimensões compreendidas entre 22 e 40 mm de comprimento, entre 20 a 35 mmde largura, com espessura de cobre compreendida entre 0,2 e 0,5 mm e com a espessura da cerâmica
compreendida entre 0,4 e 0,8 mm.
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. .8541.90.90 .005 . Discos de aço inoxidável planos, sem bordas curvadas, com dimensões compreendidas de 2 a 5 milímetros de diâmetro, espessura de 0,15 milímetros e rebarbas com no máximo 0,05 mm para produção de
semicondutores.
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. .8541.90.90 .006 . Discos de contato em cobre eletrolítico usinado com acabamento lapidado para fabricação de semicondutores de potência tipo disco, com diâmetro maior compreendido de 49 a 63 mm com espessura total compreendida de
2,45 a 3,9 mm, rugosidade máxima Rz de 5 micrômetros e desvio máximo de planicidade de 0,005 mm.
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. .8541.90.90 .007 . Capas metal-cerâmicas (capas cerâmicas) isolantes para semicondutores de potência discretos do tipo diodo rosca, sendo compostas por cerâmica de óxido de alumínio (parte isolante), tubo de cobre na parte superior para
conexão do terminal interno do diodo com sua cordoalha, e flange produzida em liga NiFe42 na parte inferior.
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. .8541.90.90 .008 . Terminais de cobre, com ou sem solda integrada, produzidos à partir de fios ou chapas, para uso exclusivo em semicondutores de potência, com acabamento em prata ou ouro, para conexão elétrica otimizada para o gatilho
(porta/gate) ou para a parte de potência do semicondutor (anodo/ catodo) com o comprimento do fio compreendido entre 31 a 60 mm (L ou L1+L2), com espessura entre 0,38 mm a 0,7 mm (diâmetro E1) ou em chapas de
espessura 0,8 mm, largura compreendida entre 33 mm a 50 mm e comprimento de 41,2 +/- 1 mm.
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. .8542.32.21 .010 . Circuitos integrados eletrônicos, sendo memórias dos tipos ram estáticas (sram), eprom, eeprom, prom, rom e flash,montadas, próprias para montagem em superfície (smd - surface mounted device), do tipo usado em produtos
automotivos.
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. .8542.32.21 .011 . Circuitos integrados monolíticos encapsulados em tecnologia SMD, constituídos por memórias semicondutoras não voláteis e voláteis, incluindo EEPROM, Flash, EPROM e SRAM, com capacidade de armazenamento compreendida
entre 1 kbit e 512 Mbit, tensão de operação entre 2,95 Vdc e 5,5 Vdc, destinados à aplicação em armazenamento de firmware e dados operacionais em drivers eletrônicos para iluminação LED.
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. .8542.32.21 .012 . Circuitos integrados eletrônicos, monolíticos, montados, próprios para montagem em superfície (SMD), do tipo dispositivo de armazenamento embarcado compatível com a especificação eMMC (Embedded Multimedia Card /
Cartão multimídia integrado), compostos por memória NAND Flash e controlador MMC integrados, com suporte aos modos HS200 e/ou HS400, densidade maior ou igual a 4GB e menor ou igual a 128GB, encapsulados em FBGA
de 153 esferas (balls) ou P-WFBGA de 153 esferas (balls), tensão de alimentação VCC de 2,7V a 3,6V e VCCQ de 1,7V a 3,6V, próprios para aplicação como armazenamento embarcado.
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. .8542.32.21 .013 . Circuitos integrados eletrônicos, monolíticos, montados, próprios para montagem em superfície (SMD), do tipo memória NAND Flash com interface paralela assíncrona compatível com padrão ONFI, largura de dados de 8 bits
(Device Width 8-bit), com page size maior ou igual a 2112 bytes e menor ou igual a 4320 bytes, capacidade de armazenamento igual ou superior a 1Gbit e igual ou inferior a 8Gbit, encapsulados em TSOP de 48 pinos ou BGA
de 63 esferas ou VFBGA de 63 esferas, tensão de alimentação de 1,8V ou 3,3V, próprios para aplicação como memória não volátil em sistemas microprocessados.
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. .8542.39.31 .004 . Circuitos integrados monolíticos encapsulados em tecnologia SMD, destinados a aplicações em controle eletrônico e gerenciamento de energia, incluindo circuitos integrados controladores analógicos e mistos para fontes
chaveadas e drivers eletrônicos, operando com tensão de alimentação compreendida entre 0,8 Vdc e 800 Vdc, frequência de comutação até 1 MHz, destinados à fabricação de drivers para iluminação LED e eletrônicos
industriais.
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. .8705.10.20 .008 . Caminhões guindaste, com lança telescópica de 5 seções, com altura máxima na lança principal de 43,6m, altura máxima com o jib de 59,5m, com capacidade máxima de elevação de 60 toneladas, com 4 eixos direcionáveis,
com velocidade máxima no guincho principal de 120m/minuto e velocidade máxima no guincho auxiliar 120m/minuto, com os acessórios necessários para seu perfeito funcionamento.
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